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Kingston Memoria Ram DDR4 8GB 2666MHz Notebook KVR26S19S6

Kingston Memoria Ram DDR4 8GB 2666MHz Notebook KVR26S19S6 está diseñada, fabricada y es probada rigurosamente para cumplir con las especificaciones de cada una de las marcas de sistemas.

$25.900

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Kingston Memoria Ram DDR4 8GB 2666MHz Notebook KVR26S19S6

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SKU: KVR26S19S6/8 Categorías: , Etiqueta:

Kingston Memoria Ram DDR4 8GB 2666MHz Notebook KVR26S19S6


La memoria Kingston está diseñada, fabricada y es probada rigurosamente para cumplir con las especificaciones de cada una de las marcas de sistemas. Su compatibilidad está asegurada y está respaldada por una garantía de por vida y la legendaria confiabilidad de Kingston.

Agregue memoria Kingston confiable y observe cómo su productividad se dispara. Las páginas se cargarán más rápido y el lanzamiento de nuevas aplicaciones será más fácil y rápido.

Si su sistema está retrasado, o un programa no responde o no se carga, es posible que tenga una falta de memoria. Es posible que vea signos sutiles, como un bajo rendimiento en las tareas cotidianas, o puede estar recibiendo mensajes de «falta de memoria».

Los fabricantes de computadoras portátiles y PC a menudo incluyen módulos de memoria estándar de baja capacidad para reducir los costos, lo que significa que incluso las computadoras nuevas pueden necesitar actualizaciones de memoria desde el principio. Dos opciones: quitar y reemplazar estos módulos existentes de menor capacidad, o llenar ranuras de memoria desocupadas.

En algunos casos, los módulos de memoria de la misma capacidad deben instalarse en pares para obtener el mejor rendimiento de su sistema. Busque su sistema por nombre y número de modelo con nuestro buscador de memoria, y le proporcionaremos información detallada sobre la mejor configuración de memoria para lograr el mejor rendimiento para su sistema.

Especificaciones

Características
Memoria interna 8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 8 GB
Tipo de memoria interna DDR4
Velocidad de memoria del reloj 2933 MHz
Componente para Notebook
Forma de factor de memoria 260-pin SO-DIMM
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)
ECC No
Latencia CAS 19
Clasificación de memoria 1
Voltaje de memoria 1.2 V
Tiempo de ciclo de fila 45,75 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila 350 ns
Tiempo activo en fila 32 ns
Perfil SPD Si
Estándar JEDEC Si
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa 0 – 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -55 – 100 °C
Detalles técnicos
Certificados de sostenibilidad RoHS
Doesn’t contain Halógeno
Peso y dimensiones
Ancho 69,6 mm
Altura 30 mm